Nghiên cứu cấu trúc hình học của cluster Si12 pha tạp nguyên tử As
Nội dung chính của bài viết
Tóm tắt
Bài báo này thực hiện tối ưu hóa cấu trúc cluster Si12 có pha tạp nguyên tử As, với số lượng nguyên tử pha tạp là 1, 2 và 3 để xác định các isomer có năng lượng thấp nhất. Phương pháp tính toán thực hiện là phương pháp phiếm hàm mật độ (Density Functional Theory - DFT) với phiếm hàm được chọn là B3LYP, rất phù hợp với cluster Si. Từ đó, độ bền tương đối của các isomer này và cluster Si thuần túy được đánh giá thông qua năng lượng liên kết. Kết quả tính toán cho thấy Cluster Si12 khi pha tạp 2 nguyên tử As là bền nhất so với cluster Si12 thuần túy và pha tạp các số lượng nguyên tử As khác.
Chi tiết bài viết
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Từ khóa
Cluster Si, phương pháp DFT, cấu trúc hình học, cluster Silic pha tạp Asen, năng lượng liên kết
Tài liệu tham khảo
[2]. R. Ferrando, J. Jellinek, R. L. Johnston (2008), “Nanoalloys: from theory to applications of alloy clusters and nanoparticles”, Chemical Reviews, (108), p. 845-910.
[3]. M. J. Frisch, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria, M. A. Robb, J. R. Cheeseman, J. A. Montgomery, T. Vreven, K. N. Kudin, J. C. Buran, J. M. Millam, et al., (2009), Gaussian 09 Revision: B.01, Gaussian Inc., Wallingford, Connecticut, USA.
[4]. P. Gruene, D. M. Rayner, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, J. T. Lyon, G. Meijer, A. Fielicke (2008), “Structures of neutral Au7, Au19 and Au20 clusters in the gas phase”, Science, (321), p. 674-676.
[5]. T. Iwasa, A. Nakajima (2012), “Electronic and optical properties of a superatomic heterodimer and trimer: Sc@Si16–V@Si16 and Sc@Si16–Ti@Si16–V@Si16”, The Journal of Physical Chemistry C, (116), p. 14071-14077.
[6]. Kiichirou Koyasu, Minoru Akutsu, Masaaki Mitsui, and Atsushi Nakajima (2005), “Selective Formation of MSi16 (M = Sc, Ti, and V)”, Journal of American Chemical Society 127, (14), p. 4998-4999.
[7]. T. B. Tai, M. T. Nguyen (2011), “A stochastic search for the structures of small germanium clusters and their anions: enhanced stability by spherical Aromaticity of the Ge10 and Ge122- Systems”, Journal of chemical Theory and computation, (7), p. 1119-1130.
[8]. N. M. Tam, T. B. Tai, M. T. Nguyen (2012), “Thermochemical parameters and growth mechanism of the boron-doped silicon clusters, SinBq with n = 1–10 and q = -1, 0, +1”, The Journal of Physical Chemistry C, (116), p. 20086-20098.
[9]. Nguyen Minh Tam, Minh Tho Nguyen (2013), “Heats of formation and thermochemical parameters of small silicon clusters and their ions Sin with n = 2–13”, Chemical Physics Letters, (584), p. 147-154
[10]. N. X. Truong, M. Savoca, D. J. Harding, A. Fielicke, O. Dopfer (2015), “Vibrational spectra and structures of SinC clusters (n = 3–8)”, Physical Chemistry Chemical Physics, (17), p. 18961-18970.